“工業(yè)芯片可靠性技術(shù)研究需要‘十年磨一劍’的精神，關(guān)鍵核心技術(shù)突破沒有捷徑，唯有腳踏實地、潛心鉆研。”北京智芯微電子科技有限公司研發(fā)中心總經(jīng)理陳燕寧常用這句話勉勵團隊。作為創(chuàng)新團隊技術(shù)帶頭人，她以“敢想”“敢闖”“敢拼”的工作作風(fēng)，為科研工作者作出榜樣。
從事芯片研發(fā)工作以來，陳燕寧一直致力于工業(yè)芯片可靠性關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，帶領(lǐng)團隊攻克了多物理場下芯片可靠性退化機理及專用設(shè)計工具研究、高可靠長壽命特色流片工藝設(shè)計、電力芯片綜合測試系統(tǒng)開發(fā)等一系列工業(yè)芯片技術(shù)難題。她曾獲北京市優(yōu)秀青年工程師、國家電網(wǎng)有限公司巾幗建功標兵、“最美國網(wǎng)人”等稱號，獲省部級、公司級科技獎勵23項，發(fā)表SCI、EI論文44篇。
為了提升電力芯片可靠性水平，陳燕寧和團隊成員跑遍全國各地電力芯片應(yīng)用的極端環(huán)境現(xiàn)場，收集整理了大量關(guān)鍵數(shù)據(jù)。他們研究分析電力各環(huán)節(jié)終端裝置應(yīng)用場景的環(huán)境數(shù)據(jù)，尋找環(huán)境和芯片功能退化的相關(guān)性規(guī)律，研究高可靠器件設(shè)計方法和流片工藝優(yōu)化方案。
在大膽嘗試和不懈努力下，陳燕寧和團隊搭建出了可準確模擬電磁、溫濕度等十余種環(huán)境特征和數(shù)百種典型應(yīng)用場景的電力芯片動模平臺，研制出高精度可靠性模型，找到了可用于抵抗環(huán)境干擾的芯片可靠性設(shè)計方法，開發(fā)出滿足電力芯片應(yīng)用需求的高低壓融合、抗干擾、長壽命的特色流片工藝。此外，她帶領(lǐng)團隊開發(fā)了寬溫區(qū)、抗電磁、高耐壓、長壽命的能源電子高可靠定制化模擬芯片工藝平臺。平臺具有低功耗、高效能、高集成度的特點，可降低芯片功率耗損，提高芯片可靠性水平。
2020年10月，陳燕寧創(chuàng)新工作室正式成立。這是一支碩士、博士研究生占比達90%的創(chuàng)新團隊，旨在發(fā)揮高學(xué)歷人才在企業(yè)科技創(chuàng)新中的示范引領(lǐng)和帶頭作用。2023年，她帶領(lǐng)創(chuàng)新工作室成員成功申報國家及省部級科技項目9項。(黃姍 張忠禹)
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